Присоединяйтесь к нам: Facebook Twitter YouTube
Выбор по дате
Персона
Цитата дня
"РФ несет полную ответственность за нарушение прав человека на оккупированных территориях"
Президент Украины Петр Порошенко
Общественное мнение
Общество
12 декабря 2006, 18:01

Создана фазовая компьютерная память

Компании IBM, Macronix и Qimonda объявили результаты совместного исследования в области сверхскоростной компьютерной памяти совершенно нового типа.

 

Так называемая память с изменением фазы (phase-change memory) может заткнуть за пояс ныне существующие типы энергонезависимой памяти (флэшки) и скоростью работы, и долговечностью.

 

Самые быстрые на сегодня типы компьютерной памяти (DRAM/SRAM) в тысячу раз превосходят по скорости работы так называемые флэшки, но, в отличие от последних, хранят информацию только до тех пор, пока получают питание. Энергонезависимость же флэшек обеспечила им широкое использование в мобильных устройствах, где скоростью работы можно поступиться.

 

Теперь, кажется, можно будет угнаться сразу за двумя зайцами, что открывает интересные перспективы как для мобильных, так и для стационарных компьютерных устройств. Память типа phase-change является энергонезависимой, но при этом превосходит флэшки по скорости работы, по меньшей мере, в 500 раз!

 

В основе каждой ячейки такой памяти — крошечный кусочек специально разработанного полупроводникового сплава сурьмы и германия с легирующими добавками. Этот кусочек назван «мостом». Его размеры (расстояние между «опорами» и сечение моста) составляют порядка 20 нанометров. Кроме моста в данном устройстве есть подложки, покрытия и различные проводники из платины, соединений кремния, титана и так далее.

 

При записи информации мост можно очень быстро перевести из кристаллической фазы в аморфную или в обратную сторону — за счет пропускания через него краткого импульса тока с определенной силой, формой и длительностью. Фазы эти сильно различаются по сопротивлению и, таким образом, могут представлять двоичные нули и единички.

 

Пребывание в той или иной фазе не требует энергии. А сама перемена состояния отнимает вдвое меньшей энергии, чем запись одного бита во флэшке. При этом новая память прекрасно проявляет свои свойства при уменьшении размера элементов до 22 нанометров, в то время как для флэшек, хранящих биты в виде электрических зарядов, уже 45 нанометров станут непреодолимой «стеной», за которой, согласно пресс-релизу IBM, они уже не смогут сохранять свою надежность (и без того не идеальную), а главное — потеряют энергонезависимость.

 

Детали этого исследования были обнародованы на международном форуме электроники в Сан-Франциско (International Electronic Devices Meeting 2006).


Мembrana
+Поделиться:


Счетчики:
Наши партнеры: